设为首页 加入收藏 在线投稿

TOP

存储器芯片:专利数量悬殊,专利质量突围?
2018-09-27 17:07:01 来源:中国知识产权报 作者:【 】 浏览:11次 评论:0

  一个是与中国台湾企业合作的大陆新晋企业,一个是全球三大存储器巨头之一, 福建省晋华集成电路有限公司(下称福建晋华)与美国美光之间的专利较量,正是我国存储器芯片厂商在劲敌环伺下发展的一个缩影。


  目前,在福建晋华向美国美光中国子公司提起的专利侵权诉讼中,福建晋华向福州市中级人民法院提出诉中禁令,要求美光立即停止侵犯涉案专利权行为,得到法院支持。这一“临时禁令”可视为我国存储器企业反击芯片巨头的阶段性胜利,但业内人士认为,随着传统存储器市场竞争进入诉讼多发期,我国企业要在有效防范风险的同时,赢得国际市场上的一席之地,还有很长的路。


  日前,国家知识产权局专利局专利审查协作湖北中心发布的《半导体存储器产业知识产权分析评议报告》(下称报告)同样印证了这一观点。报告显示,随着传统存储器技术趋于成熟,但产业进入诉讼高发期,而我国既没有巨头企业的专利授权,专利储备又较为薄弱,存在较高的专利风险。


  专利数量悬殊警惕诉讼高发


  存储器又名内存,是集成电路产业重要支柱之一。报告显示,目前,半导体存储器年产值超过1000亿美元。易失性存储器(即断电后存储信息消失)以DRAM(动态随机存取存储器)为代表,非易失性存储器以NAND FLASH(闪存)为代表,两者份额占存储器产业90%以上,但长期以来,这一市场都被韩国三星、海力士和美国美光等国际巨头所垄断。


  近年来,我国大力发展集成电产业产业,在国家相关政策的引导推动下,武汉、合肥、晋江三地集成电路产业园区重点发展存储器,福建晋华正是代表企业之一。“大举投资DRAM和NAND FLASH是我国存储器厂商融入市场的必经之路。”国家知识产权局专利局专利审查协作湖北中心电学部元器件室主任王海涛发布报告时表示,同时他也指出,传统存储器领域的全球专利趋势由美日韩主导,近年来全球专利申请量持续走低,技术步入成熟期,产业进入诉讼高发期。我国目前大力投资发展DRAM和NAND FLASH,将面临较高的专利诉讼风险。


  以此次福建晋华与美光引发纠纷的DRAM为例,中国集成电路知识产权联盟此前发布的《集成电路专利态势报告》显示,在DRAM领域,全球公开的专利申请达14万余件,日本、美国、韩国申请量位居全球前列,占比达76%,中国的DRAM产业技术基础薄弱,相关专利申请量很少,占比仅为4%。


  合享汇智信息科技集团有限公司高级专利分析师饶小平经检索发现,美光在全球申请了近4万件专利,而且在美国、日本、韩国、中国及欧洲等多个国家和地区都有相当数量的布局。相比之下,福建晋华作为大陆新晋厂商,在其拥有的60多件专利中,一部分是与中国台湾企业联华电子共同申请的专利,一部分是受让于联华电子的专利。“虽然专利侵权的可能性并不能简单地从数量上去衡量,单独一件高价值专利仍可能成为专利诉讼的有力武器,但专利战一旦开打,双方手中的专利储备情况也会影响后续的谈判走向,在这方面福建晋华并没有优势。”集慧智佳知识产权咨询公司咨询师王希波在接受记者采访时表示。


  报告显示,除了巨头企业外,退市厂商也持有大量有效专利,我国企业应注意防范来自国际巨头企业、退市厂商以及NPE(非专利实施主体)三方的专利诉讼风险。所幸的是,随着近年来国内存储器厂商的快速发展,研发投入逐步加大,部分企业的专利申请也实现快速增长。饶小平介绍,设计企业兆易创新截至目前提交了656件专利申请,制造企业长江存储提交了1116件专利申请,尤其2017年呈爆发式增长。


  专利质量提升有待多措并举


  在国际巨头的先发优势面前,我国存储器企业专利储备不足已是不争的事实。对此,多位业内人士认为,有针对性地制定专利策略,提升专利质量,完善专利布局,或能为我国存储器企业争得一席之地。


  报告显示,随着信息产业对存储器提出新的需求,目前全球存储巨头都在加大对相变、磁阻、阻变等新型存储器的研发投入,未来磁阻存储器可能替代DRAM,阻变存储器、相变存储器可能替代NAND FLASH。对此,报告建议,我国企业对于传统DRAM和NAND FLASH存储器应采取“防守进攻”的专利策略,对于新型存储器采取“攻守兼备”的专利策略。在传统存储器领域,可以通过寻求专利许可、收购已退市厂商核心专利等方式加大专利储备,并针对性地重点布局垂直晶体管、高K电容、蜂巢电容等40nm以下工艺中的核心专利,基于下一代DDR发展方向重点布局降低功耗技术,基于三维TSV架构以及2.5D/3D架构高带宽的DRAM产品标准布局专利。在新型存储器领域,国内外差距相对较小,我国也已经开始尝试“存储器制造厂+研发型科技机构”模式,但还应基于新型存储器技术路线中的关键技术加大专利布局抢占核心节点,以增强产业控制力。


  目前长江存储研发制造了3D DRAM,处于国内领先的位置,然而离大规模应用还有一定距离。兆易创新则主要还是小市场容量的NOR FLASH存储器。饶小平认为,国内具备一定研发实力的企业应着眼于大市场容量存储器的研发。同时,设计、制造、封装等产业链上各类企业应联合起来共同研发,共同推进国内存储器产业的发展。此外,国内企业要进一步提升知识产权意识,既要加大研发投入和专利布局,对于比较重要的技术,应向国外申请专利,让中国自主创新的技术同时在欧美日等消费市场大国进行专利保护,也要重视专利分析与预警,为企业创新发展保驾护航。(记者 刘仁)


  转自:中国知识产权报


 

免责声明:

1、中国行业经济网转载此文目的在于传递更多信息,不代表本网的观点和立场。文章内容仅供参考,不构成投资建议。投资者据此操作,风险自担。

2、本文仅代表作者个人观点,与中国行业经济网无关。其原创性以及文中陈述文字和 内容未经本站证实,对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容。

3、本站部分内容来自互联网,如涉及作品内容、图片、版权和其它问题,请及时联系我们进行删除, 邮箱:372500600@qq.com

您看到此篇文章时的感受是:
Tags:存储器 芯片 专利 数量 悬殊 质量 突围 责任编辑:刘天明
】【打印繁体】【投稿】【收藏】 【推荐】【举报】【评论】 【关闭】 【返回顶部
上一篇铅酸蓄电池产业压力空前,企业纷.. 下一篇商务中心区引领“高精尖”产业发展

精彩图文

今日新闻

图片新闻

热点新闻

一周排行

相关资讯

广 告